2026.10.12 · 미국 정규장 마감
중국 CXMT의 4F² D램 발표, 미국 반도체·메모리·광통신주를 흔들다
주말 사이 중국 CXMT가 4F² D램 셀 구조에서 핵심 연구개발 진전을 공개하고 2026년 말 서버용 제품 출시 계획까지 밝히면서, 월요일 한국 SK하이닉스·삼성전자가 4.5% 급락했고 미국에서는 마이크론이 -3.88%로 그 흐름을 이어받았어요.
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02오늘의 하이라이트중국 CXMT의 4F² D램 발표, 미국 반도체·메모리·광통신주를 흔들다주말 사이 중국 CXMT가 4F² D램 셀 구조에서 핵심 연구개발 진전을 공개하고 2026년 말 서버용 제품 출시 계획까지 밝히면서, 월요일 한국 SK하이닉스·삼성전자가 4.5% 급락했고 미국에서는 마이크론이 -3.88%로 그 흐름을 이어받았어요.펼치기접기
중국 CXMT의 4F² D램 발표, 미국 반도체·메모리·광통신주를 흔들다
주말 사이 중국 CXMT가 4F² D램 셀 구조에서 핵심 연구개발 진전을 공개하고 2026년 말 서버용 제품 출시 계획까지 밝히면서, 월요일 한국 SK하이닉스·삼성전자가 4.5% 급락했고 미국에서는 마이크론이 -3.88%로 그 흐름을 이어받았어요.이날 급락한 9종목 가운데 이 흐름과 직접 연결된 종목은 23개예요.
이 흐름은 어디서 시작됐을까요?
- 2016년 1월 1일 · 시작범용 D램 양산 기업으로 출발
CXMT는 2016년 설립돼 2018년 8Gb DDR4를 테이프아웃하고, 2019년 DDR4 양산과 첫 주문·판매를 시작했어요.낸드가 아닌 범용 D램 생산 기반을 다진 출발점으로, 이후 수년에 걸친 미세공정 추격의 토대가 됐어요.
- 2025년 2월 13일 · 전개16nm급 추격과 미국 장비 규제라는 변수
2025년 2월 CXMT는 17nm에서 16nm급 G4 D램으로 전환해 2024년 말 LPDDR5, 2025년 초 DDR5 상용화를 추진했고 15nm 양산도 2026년 말을 목표로 삼았어요. 다만 미국의 EUV·식각 장비 수출 규제가 수율과 일정의 위험 요인으로 지적됐어요.장비 규제 아래서도 미세공정을 단계적으로 좁혀온 궤적을 보여주며, 이번 주말 발표가 갑작스러운 비약이 아니라 연속선상의 결과라는 점을 시사해요.
- 2025년 6월 10일 · 전개삼성·SK하이닉스도 이미 4F² 전환을 준비 중이었다
SK하이닉스는 2025년 6월 10nm급 이하에서 4F² 수직게이트·3D D램으로 전환하는 장기 로드맵을 공개했고, 삼성전자도 2026년 4월 10a 공정에서 4F²·VCT 작동 다이를 확보해 2028년 양산을 목표로 밝혔어요.4F²는 CXMT만의 독자 개념이 아니라 메모리 3사 모두가 준비해온 차세대 셀 구조였다는 뜻이에요. 즉 이번 발표는 '없던 기술의 등장'이 아니라 추격 경쟁 속 한 참가자의 진전 공개에 더 가까워요.
- 2026년 9월 20일 · 전개CXMT, G5 양산 발표와 점유율 확대
CXMT는 2026년 9월 G5 플랫폼 양산을 공식 발표하며 전세대 대비 웨이퍼당 다이 수를 최소 50% 늘렸다고 밝혔어요. 2분기 기준 CXMT의 글로벌 D램 매출 점유율은 9.5%로 1분기 7.6%에서 상승했고, 삼성(39.4%)·SK하이닉스(24.9%)·마이크론(23.3%)에 이은 4위를 지켰어요.AI 수요로 3사가 HBM에 생산능력을 돌리는 사이 CXMT가 범용 D램 공급 공백을 메우며 점유율을 늘려온 흐름이, 이번 발표가 시장에서 가볍게 넘겨지지 않은 배경이에요.
- 2026년 10월 10일 · 방아쇠CXMT, 4F² D램 핵심 연구 진전 공개
CXMT는 10월 10일 상하이 행사에서 자체 개발한 VSG 수직 포위 채널 트랜지스터 기반 4F² D램 아키텍처의 핵심 연구개발 진전을 공개했고, 2026년 말까지 혼합 본딩을 결합한 서버용 DDR5 RDIMM 출시 계획을 밝혔어요.6F²에서 4F²로 전환하려면 워드라인·비트라인·접합 공정 재설계가 필요해 양산 성공 여부는 아직 불확실하지만, 서버 메모리 시장 진입 일정까지 제시하며 경쟁 셈법을 흔들었어요.
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